Бу зур карлы фотосессия һәм көчәйтелгән УВ белән Si кар көчле фотодиод.Ул UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.
Бу Si кардан фотодиод, ул UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 800нм.
Бу Si кардан фотодиод, ул UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 905нм.
Бу Si кардан фотодиод, ул UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы - 1064нм.Onsаваплылык: 1064 нм 36 А / Вт.
Бу Si кар көчлегенең фотодиод модулын көчәйтү алдыннан схемасы белән көчәйтелгән, бу зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.
Бу индиум галлий арсенид кар көчле фотодиод модуле, көчәйтү алдыннан схемасы, зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.
Ул Si кар көчле фотодиодның дүрт берәмлегеннән тора, алар UV-NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 980нм.Onsаваплылык: 1064 нм 40 А / Вт.
Ул Si кар көчле фотодиодның дүрт берәмлегеннән тора, көчәйтү алдыннан схемасы, бу көчсез ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.
Бу 850nm Si PIN фотодиод модуле, көчәйтү алдыннан схемасы, ул зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.
Бу Si PIN фотодиоды, кире якка эш итә һәм UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 930нм.
Бу Si PIN фотодиоды, кире якка эш итә һәм UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 980нм.Respаваплылыгы: 1064 нмда 0,3А / Вт.
Оптик сигнал оптик җепсел кертеп агымдагы сигналга әверелә.Si PIN модуле көчәйтү алдыннан схема белән, зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.
+ 86-28-81076568
+ 86-28-87897578
sales@erbiumtechnology.com