905nm APD

Модель: GD5210Y-2-2-TO46 / GD5210Y-2-5-TO46 / GD5210Y-2-8-TO46 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P / Array

Кыска тасвирлау:

Бу Si кардан фотодиод, ул UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 905нм.

цитата алу Йөкләү

Техник параметр

Продукция тэглары

Үзенчәлекләр

Фронтсайд яктыртылган яссы чип
Speedгары тизлекле җавап
APгары APD табышы
Түбән тоташу сыйдырышлыгы
Түбән тавыш
Массив зурлык һәм фотосенсив өслек көйләнергә мөмкин.

Кушымталар

Лазер диапазоны
Лазер радар
Лазер кисәтүе

Фотоэлектрик параметр （@ Ta = 22 ± 3 ℃）

Предмет #	Пакет категориясе	Фотосенсив өслекнең диаметры (мм)	Спектраль җавап диапазоны (nm)	Иң югары дулкын озынлыгы (nm)	Onsаваплылык λ = 905нм φe = 1μW М = 100 (А / В)	Timeавап бирү вакыты λ = 905нм R_L= 50Ω （Ns）	Караңгы ток М = 100 (м / Ю)		Температура коэффициенты Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）	Гомуми сыйдырышлык М = 100 f = 1МГц （PF）	Сынарга көчәнеш I_R= 10μA （V）
Предмет #	Пакет категориясе	Фотосенсив өслекнең диаметры (мм)	Спектраль җавап диапазоны (nm)	Иң югары дулкын озынлыгы (nm)	Onsаваплылык λ = 905нм φe = 1μW М = 100 (А / В)	Timeавап бирү вакыты λ = 905нм R_L= 50Ω （Ns）	Тип.	Макс.	Температура коэффициенты Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）	Гомуми сыйдырышлык М = 100 f = 1МГц （PF）	Мин	Макс
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	0.23	400 ～ 1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	0.80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	Пластик пакет	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	Пластик пакет	0.50					0.4	1.0		1.2
Арр	PCB	Custзенчәлекле				Фотосенсив өслек буенча	Фотосенсив өслек буенча			Фотосенсив өслек буенча	160	200