InGaAs APD модульләре

Модель: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Кыска тасвирлау:

Бу индиум галлий арсенид кар көчле фотодиод модуле, көчәйтү алдыннан схемасы, зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

цитата алу Йөкләү

Техник параметр

Продукция тэглары

Үзенчәлекләр

Фронтсайд яктыртылган яссы чип
Speedгары тизлекле җавап
Детекторның югары сизгерлеге

Кушымталар

Лазер диапазоны
Лазер элемтә
Лазер кисәтүе

Фотоэлектрик параметр（@ Ta = 22 ± 3 ℃）

Предмет #	Пакет категориясе	Фотосенсив өслекнең диаметры (мм)	Спектраль җавап диапазоны (nm)	Ватылу көчәнеше （V）	Onsаваплылык М = 10 λ = 1550нм (кВ / Вт)	Вакыт күтәрелү （Ns）	Тирәнлек киңлеге (МГц)	Температура коэффициенты T_a= -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）	Тавыш эквивалент көче (pW / √Hz)	Концентрация （μm）	Башка илләрдә төр
GD6510Y	TO-8	0.2	1000 ～ 1700	30 ～ 70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0.21		-
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B