1064nm APD модульләре

Модель: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Кыска тасвирлау:

Бу Si кар көчлегенең фотодиод модулын көчәйтү алдыннан схемасы белән көчәйтелгән, бу зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

цитата алу Йөкләү

Техник параметр

Продукция тэглары

Үзенчәлекләр

Фронтсайд яктыртылган яссы чип
Speedгары тизлекле җавап
APгары APD табышы

Кушымталар

Лазер диапазоны
Лазер элемтә
Лазер кисәтүе

Фотоэлектрик параметр （@ Ta = 22 ± 3 ℃）

Предмет #	Пакет категориясе	Фотосенсив өслекнең диаметры (мм)	Спектраль җавап диапазоны (nm)	Ватылу көчәнеше （V）	Onsаваплылык М = 100 λ = 1064nm (кВ / Вт)	Вакыт күтәрелү （Ns）	Тирәнлек киңлеге (МГц)	Температура коэффициенты Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）	Тавыш эквивалент көче (pW / √Hz)	Концентрация （μm）	Башка илләрдә төр
GD6212Y	TO-8	0.8	40 ～ 1100	350 ～ 500	150	8.8	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A