800нм АПД
Үзенчәлекләр
- Фронтсайд яктыртылган яссы чип
- Speedгары тизлекле җавап
- APгары APD табышы
- Түбән тоташу сыйдырышлыгы
- Түбән тавыш
Кушымталар
- Лазер диапазоны
- Лазер радар
- Лазер кисәтүе
Фотоэлектрик параметр（@ Ta = 22 ± 3 ℃）
| Предмет # | Пакет категориясе | Фотосенсив өслекнең диаметры (мм) | Спектраль җавап диапазоны (nm) |
Иң югары дулкын озынлыгы | Onsаваплылык λ = 800нм φe = 1μW М = 100 (А / В) | Timeавап бирү вакыты λ = 800нм RL= 50Ω （Ns） | Караңгы ток М = 100 (м / Ю) | Температура коэффициенты Ta = -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）
| Гомуми сыйдырышлык М = 100 f = 1МГц （PF）
| Ватылу көчәнеше IR= 10μA （V） | ||
| Тип. | Макс. | Мин | Макс | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0.23 |
400 ～ 1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0.05 | 0.2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0.05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
