905nmAPD бер труба сериясе

Модель: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-P

Deviceайланма - кремний кар көчле фотодиод, спектраль реакция күренгән яктылыктан инфракызылга кадәр, һәм иң югары дулкын озынлыгы 905нм.

цитата алу Йөкләү

Техник параметр

Фотоэлектрик үзенчәлекләр (＠ Ta ＝ 22 ± 3℃)
Модель		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Арр
Пакет формасы		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	пластик төрү	пластик төрү	PCB
Фотосенсив өслек диаметры (мм)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	көйләнгән
Спектраль җавап диапазоны (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Иң югары дулкын озынлыгы (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Onsаваплылык λ = 905nm Φ = 1μW M = 100 (A / W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Караңгы ток M = 100 (nA)	Типик	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Фотосессивлык буенча
Караңгы ток M = 100 (nA)	Максимум	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Бер ягы
Timeавап бирү вакыты λ = 905nm R1 = 50Ω (ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Фотосенсив өслек буенча
Эш көчәнеш температурасы коэффициенты T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Гомуми сыйдырышлык M = 100 f = 1MHz (pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Фотосенсив өслек буенча
өзелү көчәнеше IR = 10μA (V)	Минимум	130	130	130	130	130	130	130	160
өзелү көчәнеше IR = 10μA (V)	Максимум	220	220	220	220	220	220	220	200

Алдагы: 800nmAPD бер труба сериясе

Чираттагы: 1064nmAPD бер труба сериясе

Алгы самолет чип структурасы

Speedгары тизлек белән җавап

.Гары табыш

Түбән тоташу сыйдырышлыгы

Түбән тавыш

Массив зурлык һәм фотосенсив өслек көйләнергә мөмкин

Лазер диапазоны

Лидар

Лазер кисәтүе