800nmAPD бер труба сериясе

Модель: GD5210Y-1-2-T046 / GD5210Y-1-5-T046 / GD5210Y-1-2-LCC3 / GD5210Y-1-5 -LCC3

Deviceайланма - кремний кар көчле фотодиод, спектраль реакция күренгән яктылыктан инфракызылга кадәр, һәм иң югары дулкын озынлыгы 800нм.

цитата алу Йөкләү

Техник параметр

Фотоэлектрик үзенчәлекләр (＠ Ta ＝ 22 ± 3℃)
Модель		GD5210Y-1-2-T046	GD5210Y-1-5-T046	GD5210Y-1-2-LCC3	GD5210Y-1-5 -LCC3
Пакет формасы		TO-46	TO-46	LCC3	LCC3
Фотосенсив өслек диаметры (мм)		0.23	0.50	0.23	0.50
Спектраль җавап диапазоны (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Иң югары дулкын озынлыгы (nm)		800	800	800	800
λ = 800nm Φ = 1μW M = 100 (A / W)		55	55	55	55
Караңгы ток	Типик	0.05	0.10	0.05	0.10
M = 100 (nA)	Максимум	0.2	0.4	0.2	0.4
Timeавап бирү вакыты λ = 800nm R1 = 50Ω (ns)		0.3	0.3	0.3	0.3
Эш көчәнеш температурасы коэффициенты T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0,5	0,5	0,5	0,5
Гомуми сыйдырышлык M = 100 f = 1MHz (pF)		1.5	3.0	1.5	3.0
Ватылу көчәнеше IR = 10μA (V)	Минимум	80	80	80	80
Ватылу көчәнеше IR = 10μA (V)	Максимум	160	160	160	160

Алдагы: 355нм APD бер труба сериясе

Чираттагы: 905nmAPD бер труба сериясе

Алгы самолет чип структурасы

Speedгары тизлек белән җавап

.Гары табыш

Түбән тоташу сыйдырышлыгы

Түбән тавыш

Лазер диапазоны

Лидар

Лазер кисәтүе