Продуктлар

Продуктлар

  • InGaAs APD модульләре

    InGaAs APD модульләре

    Бу индиум галлий арсенид кар көчле фотодиод модуле, көчәйтү алдыннан схемасы, зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

  • Дүрт квадратлы APD

    Дүрт квадратлы APD

    Ул Si кар көчле фотодиодның дүрт берәмлегеннән тора, алар UV-NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 980нм.Onsаваплылык: 1064 нм 40 А / Вт.

  • Дүрт квадратлы APD модуллары

    Дүрт квадратлы APD модуллары

    Ул Si кар көчле фотодиодның дүрт берәмлегеннән тора, көчәйтү алдыннан схемасы, бу көчсез ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

  • 850nm Si PIN модульләре

    850nm Si PIN модульләре

    Бу 850nm Si PIN фотодиод модуле, көчәйтү алдыннан схемасы, ул зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

  • 900nm Si PIN фотодиоды

    900nm Si PIN фотодиоды

    Бу Si PIN фотодиоды, кире якка эш итә һәм UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 930нм.

  • 1064nm Si PIN фотодиоды

    1064nm Si PIN фотодиоды

    Бу Si PIN фотодиоды, кире якка эш итә һәм UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 980нм.Respаваплылыгы: 1064 нмда 0,3А / Вт.

  • Si PIN җепселләре

    Si PIN җепселләре

    Оптик сигнал оптик җепсел кертеп агымдагы сигналга әверелә.Si PIN модуле көчәйтү алдыннан схема белән, зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

  • Дүрт квадрат Si PIN

    Дүрт квадрат Si PIN

    Ул Si PIN фотодиодының дүрт берәмлегеннән тора, алар кире астында эшлиләр һәм UV-NIR-га кадәр югары сизгерлек бирәләр.Иң югары дулкын озынлыгы 980нм.Respаваплылык: 1064 нмда 0,5 А / Вт.

  • Дүрт квадрат Si PIN модуллары

    Дүрт квадрат Si PIN модуллары

    Ул Si PIN фотодиодының бер яки икеләтә дүрт берәмлегеннән тора, көчәйтү алдыннан схемасы, бу зәгыйфь ток сигналын көчәйтергә һәм фотон-фотоэлектрик-сигнал көчәйтү процессына ирешү өчен көчәнеш сигналына әверелергә мөмкинлек бирә.

  • UV көчәйтелгән Si PIN

    UV көчәйтелгән Si PIN

    Бу Si PIN фотодиоды, көчәйтелгән UV белән, ул кире астында эшли һәм UV -тан NIR-га кадәр югары сизгерлек бирә.Иң югары дулкын озынлыгы 800нм.0аваплылык: 340 нмда 0,15 А / Вт.

  • 1064nm YAG Лазер -15mJ-5

    1064nm YAG Лазер -15mJ-5

    Бу пассив Q-күчерелгән Nd: 1064nm дулкын озынлыгы булган YAG лазеры, m15mJ иң югары көче, 1 ~ 5hz (көйләнә торган) импульсның кабатлану тизлеге һәм m8мрад аерылу почмагы.Моннан тыш, ул кечкенә һәм җиңел лазер һәм югары энергия чыганагына ирешә ала, кайбер сценарийлар өчен күләм һәм авырлыкка катгый таләпләр булган идеаль яктылык чыганагы була ала, аерым сугыш һәм очкыч кебек кайбер сценарийларда.

  • 1064нм ЯГ Лазер-15мЖ-20

    1064нм ЯГ Лазер-15мЖ-20

    Бу пассив Q-күчерелгән Nd : YAG лазеры, 1064нм дулкын озынлыгы, m15mJ иң югары көче һәм m8мрад аерылу почмагы.Моннан тыш, ул кечкенә һәм җиңел лазер, ул югары ешлыкта (20Гц) ерак араларның идеаль яктылык чыганагы була ала.